基于分离位线DICE结构的SRAM存储单元版图抗辐射设计

摘要：

在SRAM加固设计中,存储单元的版图抗辐射设计起着重要的作用.基于分离位线的双互锁存储单元(DICE)结构,采用0.18μm体硅工艺,根据电路功能、结构和抗辐射性能,设计了一种新的NMOS隔离管的SRAM存储单元版图结构.根据分析结果,SRAM存储单元在确保存储单元功能的前提下,具备抗总剂量效应、抗单粒子翻转和抗单粒子闩锁效应,同时可实现单元面积的最优化.

关键词：总剂量效应、单粒子翻转、单粒子闩锁效应、分离位线双互锁存储单元结构、静态随机存储器版图加固

所属期刊栏目：41

分类号：TP333(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2023-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：49-53