双极型模拟IC总剂量效应仿真验证研究

摘要：

为了解决航天用双极型模拟集成电路的电离总剂量效应评估问题,结合基于失效物理的半导体器件仿真方法,提出了基于失效物理的双极型模拟集成电路电离总剂量效应仿真验证方法.在此基础上,以某型高性能固定频率电流型控制器芯片为研究对象,通过对双极型晶体管单元器件的抗总剂量能力进行仿真研究,可以确定该芯片的抗总剂量能力在剂量率为0.1 rad (Si)/s时高于100 krad (Si),与实际的试验结果一致,为双极型横拟集成电路抗总剂量能力评估提供了一种新思路.

关键词：双极型器件、模拟集成电路、总剂量效应、失效物理、仿真验证

所属期刊栏目：38

分类号：TP391.99(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2020-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：18-23