10.3969/j.issn.1672-5468.2017.06.003
总剂量辐照与热载流子协同效应特性分析
研究了总剂量辐照效应对0.35μm的NMOS器件热载流子测试的影响,结果发现:经过100 krad(Si)总剂量辐照的NMOS器件在热载流子测试时其阈值电压的变化量远远地大于未经辐照的器件的,其原因与总剂量辐照退火效应和辐射感生界面陷阱俘获热电子有关.
总剂量辐照、热载流子效应、协同效应
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TN386.1(半导体技术)
国家自然科学基金项目61574048、61204112;广东省科技重大专项2015B090912002、2015B090901048
2018-01-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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