GaN微波器件转移特性脉冲测试研究

摘要：

对GaN微波器件的转移特性开展了脉冲测试研究.通过改变脉冲通道的数量、 静态工作点和脉冲宽度,获得了不同的脉冲测试条件下GaN晶体管的转移特性,并对不同测试条件下的测试结果进行了对比分析,获得了不同的脉冲测试条件对器件转移特性的影响.得到了GaN晶体管的转移特性对栅极脉冲比较敏感,漏极脉冲只是在栅极电压作用下起辅助作用,其对转移特性的影响程度主要依据栅极电压的影响而定的结论.

关键词：转移特性、脉冲、静态工作点

所属期刊栏目：35

分类号：TN385;TN407(半导体技术)

在线出版日期：2017-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：10-15