28 nm超大规模FPGA的BRAM单粒子效应测试方法研究

摘要：

为了建立一种28 nm工艺超大规模SRAM型FPGA块随机读取存储器(BRAM:Block Random Access Memory)模块的单粒子效应测试方法,实现敏感位的精确定位,通过研究逻辑位置文件和回读文件,建立了敏感位和FPGA逻辑地址的对应机制,推导出了对应的关系公式,并提出了一组针对BRAM模块的系统测试方法.该方法大幅度地提高了现有测试方法的效果,并且为器件失效机理的分析和下一步的器件加固设计提供了指导.

关键词：现场可编程门阵列、单粒子效应、块随机读取存储器、敏感位定位、测试方法

所属期刊栏目：35

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金项目11505033;广东省自然科学基金项目 2014A030313656 和广东省科技重大专项 2015B090912002 资助

在线出版日期：2017-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

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