密封半导体器件中多余物的提取和控制研究

摘要：

高低温循环可以加速暴露出密封半导体器件中的可动多余物.为了提取多余物,改进了传统开洞PIND法.第一,通过对大量的金属封装进行开孔试验,得出最佳盲孔厚度为25～30 μm的重要工艺参数,为指导金属封装多余物的提取提供量化依据;第二,在开孔工艺中用三棱锥针取代传统的圆锥针,减少了因开孔产生多个卷边易产生封帽碎屑的风险;第三,采用有色有机溶剂对封帽局部染色的工艺标识封帽碎屑,改善传统方法中难以区分外引入物和内多余物的缺陷.介绍了将3种新工艺应用于一种微波功率管的案例,成功地提取出金锡焊料多余物,整改工艺缺陷后PIND第一次失效率得到大幅的降低,论证了开洞PIND法是一种提取腔体半导体器件多余物的科学、可靠的技术方法,其改进工艺还在不断地涌现.

关键词：高低温循环、密封半导体器件、开洞PIND法、三棱锥针、金锡焊料

所属期刊栏目：32

分类号：TN306(半导体技术)

在线出版日期：2014-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：26-31