电迁移寿命预警电路设计

摘要：

提出了一种电迁移寿命的实时预测方法,并在0.18 μm CMOS混合信号工艺下完成了预警电路的设计.预警电路与主电路放置在同一芯片上,经历相同的制造工艺和环境参数,任何影响主电路可靠性的因素都将施加在该预警电路上,从而克服了离线测试的局限性,具有实时在线测试的优点.当预警电路中电迁移引起的金属膜电阻器的阻值超过预设的界限时,其输出电平就会发生翻转,发出预警信号,主电路即将发生失效.

关键词：电迁移、可靠性、预兆单元法

所属期刊栏目：30

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2012-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：233-237