MOS器件的ESD失效

摘要：

静电放电(ESD)对半导体器件,尤其是金属氧化物半导体(MOS)器件的影响日趋凸显,而相关的研究也是备受关注.综述了静电放电机理和3种常用的放电模型,遭受ESD应力后的MOS器件失效机理,MOS器件的两种失效模式；总结了ESD潜在性失效灵敏表征参量及检测方法；并提出了相应的静电防护措施.

关键词：金属氧化物半导体器件、静电放电模型、静电防护

所属期刊栏目：29

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2012-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：64-67