10.3969/j.issn.1672-5468.2009.06.001
提高MOS功率晶体管封装可靠性技术研究
功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性.从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电阻、控制空洞、提高器件可靠性的封装技术,并通过一些实例来阐述工艺控制的效果.
金属-氧化物-半导体器件、功率品体管、封装、导通电阻、器件可靠性
27
TN386.6;TN323+.4(半导体技术)
2010-03-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1-4