小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟

摘要：

主要针对小尺寸MOSFET SEU的准三维模拟进行了研究,讨论了有关器件尺寸缩小等因素发生变化时,器件对SEU敏感性的变化情况.模拟结果表明,随着器件尺寸的缩小,衬底浓度的增大,器件对SEU的敏感性增加.

关键词：单粒子翻转、电荷收集、准三维模拟

所属期刊栏目：26

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：16-19