新型NBL改善LDMOS器件的ESD性能

摘要：

介绍了几种常见的N型埋藏层(NBL)静电放电(ESD)器件,阐述了NBL对ESD的影响,提出了新结构的NBL器件(Under-source NBL).比较Under-source NBL器件和其它常用器件的优缺点,对比了它和传统器件的ESD测试数据;结果表明,Under-source NBL器件在横向扩散MOS(LDMOS)ESD保护电路中有着非常好的效果,可以在功能相当的情况下.大大节省器件的面积.

关键词：互补型金属氧化物晶体管、埋藏层、静电放电、横向扩散

所属期刊栏目：26

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：9-12