10.3969/j.issn.1672-5468.2008.03.002
P-Si TFTs带间隧穿电流的建模研究
介绍了多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)中的带同隧穿(BBT)效应的产生机理,分析了BBT对P-SiTFT电流特性的影响,总结了关于P-Si TFT带间隧穿效应的研究现状,并提出建立更为完善的BBT电流模型的建模思路.
多晶硅薄膜晶体管、带间隧穿、建模
26
TN325+.2(半导体技术)
2008-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
6-8
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10.3969/j.issn.1672-5468.2008.03.002
多晶硅薄膜晶体管、带间隧穿、建模
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TN325+.2(半导体技术)
2008-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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