10.3969/j.issn.1672-5468.2004.03.013
一种新的辐射试验技术--低能X射线辐照
首先分析了辐照条件下MOSFET氧化层及Si/SiO2界面陷阱电荷和界面态电荷产生的机理,随后介绍了一种低能X射线辐射系统,最后讨论了X射线辐照后nMOSFET阈值电压的变化,结果表明采用X射线辐照对nMOSFET的阈值电压的影响与60Co辐照影响的规律一致.
低能X射线、辐照试验、陷阱电荷、界面态
TN407(微电子学、集成电路(IC))
国家重点实验室基金51433030404DJ4501
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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