10.3969/j.issn.1672-5468.2003.06.003
现代半导体研制的内建可靠性方法
为满足半导体技术的高速发展与进步的要求以及客户对产品的性能、服务、运送、质量及可靠性等方面的期望,我们有必要尽早地把有缺陷的产品从生产线上鉴别出来,并采用更为有效的方法来开发、验证及监控工艺过程.传统的测试式可靠性方法,主要在生产线末端通过老化、品质管理、可靠性测试和失效分析等手段来鉴别或评估可靠性失效率,由于其测试周期长,已不再适用于现代半导体工业.内建可靠性方法正好相反,它具有迅速反馈、早期预警和循环控制等优点.对半导体制造业来说,内建可靠性方法由两大部分组成:圆片级可靠性系统和内建可靠性数据库.我们已经成功地运用此方法完成了从0.35~0.13μm技术的产品可靠性认证和工艺监控.
内建可靠性、测试式可靠性、半导体、圆片级可靠性
TN306(半导体技术)
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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