10.3969/j.issn.1672-5468.2002.05.003
半导体激光器的主要失效机理及其与芯片烧结工艺的相关性
分析了GaAs/GaAlAs高功率半导体激光器的暗线缺陷、腔面损伤退化和电极退化等主要失效机理及主要失效模式,通过样品老化试验,从微观物理角度分析了光功率输出下降与芯片烧结工艺相关性,明确了烧结焊料引起PN结短路、烧结空隙、焊料沾污等是导致半导体激光器退化的一个主要因素.
半导体激光器、失效机理、功率退化烧结工艺
TN284.4(光电子技术、激光技术)
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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