GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理

摘要：

从可靠性物理的角度,深入分析了引起砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)逞化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要的失效部位是MMIC的有源器件.

关键词：砷化镓、微波单片集成电路、失效模式、退化机理

分类号：TN454(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：9-14