10.3969/j.issn.1672-5468.2002.01.001
栅氧化层TDDB可靠性评价试验及模型参数提取
采用恒定电压和恒定电流试验方法对20 nm栅氧化层进行了TDDB可靠性评价试验,并完成了1/E模型参数提取,给出了恒定电流应力下描述氧化层TDDB退化的统计模型,较好地解释了试验结果.
栅氧化层、可靠性评价、模型、参数提取
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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10.3969/j.issn.1672-5468.2002.01.001
栅氧化层、可靠性评价、模型、参数提取
TN432(微电子学、集成电路(IC))
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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