基于紫外激光对硅基微通道刻蚀分析

摘要：

紫外激光具有波长短、速度快、加工精度高、热影响区小以及无损加工等优点,针对紫外激光加工过程中,不同参数对刻蚀结果产生不同的影响,实验中通过控制单一变量法,设计了扫描速度、扫描次数、能量密度、重复频率、离焦量等不同参数对刻蚀结果的影响.实验结果表明,刻蚀宽度随能量密度的增加而增加,但是增加率不断降低;减小扫描速度,可以刻蚀出深度较深并且边缘工整的微通道;随着扫描次数的增大,激光刻蚀的深度不断增大,但增大率在不断的减小,刻蚀深度过深,激光将不会对沟道再进行刻蚀.实验中通过优化激光刻蚀参数,得到了刻蚀宽度为146 μm、刻蚀深度为25.665 μm、微通道边缘整齐,边缘粗糙度为7μm,沟道的垂直度将近90°的L型硅基微通道.

关键词：紫外激光器;单一变量法;刻蚀宽度;刻蚀深度;L型硅基微通道

所属期刊栏目：44

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：山西省重点研发计划;山西省自然科学基金

在线出版日期：2021-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：170-175