柔性单晶锗 PIN 二极管在关态下的建模研究

摘要：

介绍了柔性单晶锗纳米薄膜（GeNM ）PIN 二极管的制备方法和反向偏置下对应不同弯曲状态下的射频特性。为了定量研究在反向偏置下机械弯曲对柔性PIN二极管射频特性的影响，分别搭建了不同弯曲半径下的等效电路模型。通过研究不同机械应力作用下模型中的各个参数的变化得到二极管内部电阻，寄生电感，p＋ p-结的电阻以及p-n＋结的电容为影响其射频特性的主要因素，机械弯曲使这些参数值单调变化，导致柔性单晶锗PIN二极管关态下的射频特性变好。这在应变测量领域显示出很大的发展应用潜力。

关键词：锗二极管、柔性、弯曲、关态、等效电路模型

所属期刊栏目：39

分类号：TN315+.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61376082;天津自然科学基金13JCZDJC25900

在线出版日期：2016-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4