10.3969/j.issn.1002-7300.2007.03.003
ESD的物理失效分析及放电路径的研究
本文将IC电过力失效机理划分为EOS和ESD分别进行阐述,EOS和ESD2种失效模式的相似使得对它们失效机理的判断变得困难,但借助SEM和FIB等先进的成像设备可以揭示2种失效机理的重要差别.本文先通过实例分析揭示了2种失效机理的差别,其中从理论角度突出对ESD失效机理和失效位置的研究;然后,借助仪器分析的结果对ESD失效案例的ESD放电路径做了合理推断,这种通过失效分析推断放电路径的方法对于改善ESD保护电路性能和提高ESD防护等级有着重要参考作用.
电过力、静电放电、失效分析、失效机理、PN结退化
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TN956
2007-07-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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