10.3969/j.issn.1002-7300.2006.05.016
GaAs MESFET脉冲微波功率器件瞬态热场模型
GaAs MESFET微波功率放大器工作在脉冲周期状态下,由于自热效应,在很短的时间内(100 μs数量级),芯片沟道温度可能产生十几度甚至几十度的变化,这种剧烈的温度变化导致功放性能的变化也是不能忽略的.本文通过建立、求解热扩散方程及能量平衡方程,建立起沟道温度的一维瞬态热模型.
GaAsMESFET、脉冲微波功率放大器、自热效应、瞬态热模型
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TM93
2006-12-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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