10.14139/j.cnki.cn22-1228.2021.03.013
直边界对电阻率测量的影响及修正
针对直线四探针法中直边界对硅片电阻率测量的影响开展了实验研究.结果表明,直边界会导致硅片电阻率测量结果偏大.依据实验数据,分析得到了存在单一直边界影响时的电阻率修正公式,并验证了该公式是有效、准确的.
电阻率、硅片、边界
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TN307(半导体技术)
2021-07-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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电阻率、硅片、边界
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TN307(半导体技术)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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