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10.14139/j.cnki.cn22-1228.2021.01.001

溶胶-凝胶旋涂法制备In-N共掺ZnO薄膜及其光学性能研究

引用
ZnO是目前使用广泛的半导体材料,但本征ZnO存着在一定的缺陷,现通过溶胶-凝胶旋涂法分别以乙酸锌(Zn(CH3 COO)2?2H2 O)为锌源、硝酸铟(In(NO3)3?H2 O)为铟源、氯化铵(NH4 Cl)为氮源制备了In-N共掺的ZnO薄膜,由此来改善其相关性能.所制备样品的晶格结构、表面形貌、光学透过率及光学带隙分别通过X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)来进行表征和分析.结果表明:随着N掺杂量的增加,In-N共掺ZnO薄膜的结晶度有了明显的改善,晶粒大小均匀且尺寸逐渐减小,光透过率逐渐增加,相比于单掺样品禁带宽度减小.当N掺杂量为8.0 at%时,ZnO薄膜的晶粒尺寸及分布最为均匀、表面平整、光透过率达90%、禁带宽度轻微减小,所形成的薄膜质量最好.

溶胶-凝胶旋涂法、ZnO薄膜、In单掺ZnO、In-N共掺ZnO、光学性能

34

O484.1(固体物理学)

辽宁省教育厅科学研究基金项目LJ2019006

2021-05-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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