生长温度对氧化镓纳米球表面形貌和光学特性的影响

摘要：

采用简单的化学气相沉积(CVD)方法,利用氧化镓粉末和碳粉作为生长的原材料,在无金属催化剂的情况下,在硅衬底上生长出了产量高、面积大、而且尺寸均一的β-Ga2 O3纳米球,并研究不同生长温度对β-Ga2 O3表面形貌和晶体结构的影响.通过实验分析表明,随着生长温度的升高,衬底上纳米球的数量出现了明显的增多,而且分布变得更加致密,纳米球的直径范围约为200～700 nm.另外,研究还发现样品X射线衍射图谱中(002)衍射峰的半高全宽(FWHM)随着生长温度的升高而变小,结合扫描电子显微镜(SEM)的结果可以得出利用CVD方法制备 β-Ga2 O3纳米球的最佳生长温度为1200℃.

关键词：化学气相沉积、β-Ga2O3、纳米球

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资助基金：辽宁省自然科学基金;2020年辽宁师范大学教师指导本科生科研训练项目

在线出版日期：2021-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：43-46