退火温度对磷掺杂ZnO结构及电学性质的影响

摘要：

采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了退火温度对薄膜结构和电学性质的影响.结果表明,在750℃快退火后,磷受主被激活,得到了p型ZnO:P薄膜.

关键词：磁控溅射、ZnO薄膜、p型、退火温度

所属期刊栏目：31

分类号：O4-047

资助基金：吉林化工学院校级项目2015053;吉林化工学院校级博士启动项目2015129;吉林化工学院重大科技项目2015011

在线出版日期：2019-01-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-8