10.14139/j.cnki.cn22-1228.2018.06.002
退火温度对磷掺杂ZnO结构及电学性质的影响
采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了退火温度对薄膜结构和电学性质的影响.结果表明,在750℃快退火后,磷受主被激活,得到了p型ZnO:P薄膜.
磁控溅射、ZnO薄膜、p型、退火温度
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O4-047
吉林化工学院校级项目2015053;吉林化工学院校级博士启动项目2015129;吉林化工学院重大科技项目2015011
2019-01-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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