多次光刻晶圆涂胶工艺的实验研究

摘要：

线宽均匀性(CDU)影响芯片的速度和功耗等性能,多次光刻工艺过程中,光刻胶膜厚均匀性直接影响CDU.本文研究了多次光刻过程中光刻胶膜厚均匀性与匀胶时间、匀胶转速以及软烘时间的关系.实验结果表明晶圆表面形貌对多次光刻的光刻胶膜厚均匀性有较大影响,通过优化多次光刻的匀胶时间、匀胶转速以及软烘时间,提高了多次光刻工艺中光刻胶膜厚均匀性.获得了最佳光刻工艺参数:匀胶时间10 s、匀胶转速2500 rpm/s、软烘时间150 s,与传统工艺相比较,膜厚均匀性提高了约29.96％,CD均匀性提高了约24.77％.

关键词：芯片、多次光刻、光刻胶、均匀性、CDU

所属期刊栏目：31

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：江苏省产学研科技前瞻性联合研究项目BY2016053-10

在线出版日期：2018-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：31-35,69