太阳能电池用多晶硅材料少数载流子寿命的测试

摘要：

采用高频光电导衰退法测试了太阳能电池用p型多晶硅片的少数载流子寿命，细致分析了光注入强度对测试结果的影响。结果显示光电导衰减曲线在靠近尖峰处较宽的时间区域内并按非指数规律快速衰减，当信号衰减到一定程度后逐渐接近指数规律，且随着光注入强度增大，少子寿命的测量结果显著减小。从非平衡载流子的表面复合效应和晶界复合效应出发，对导致该现象的物理机制进行深入解释。

关键词：多晶硅、少子寿命、光电导衰退法、表面复合

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目51302316;湖南省自然科学基金项目13JJ4003;国防科技大学科研计划项目JC13-02-09

在线出版日期：2015-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：21-24