硅纳米线的PECVD生长研究

摘要：

本文以硅烷(SiH4)为反应气体,利用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在硅(100)衬底上生长硅纳米晶体、纳米线.应用扫描电镜观察不同条件下生长的样品表面,发现衬底条件对硅纳米结构的影响十分显著.在温度、压强等其它条件相同的情况下,对硅衬底应用Fe3+催化剂处理后,呈纳米线状结构生长,而无Fe催化剂涂覆情况下,基本呈纳米晶体状生长,说明催化剂对Si纳米线的生成起了重要的促进生长作用.通过进一步研究硅纳米晶体、纳米线的等离子增强化学气相生长机理,发现它们以气-液-固(VLS)机制生长.

关键词：硅纳米线、PECVD、VLS机制、催化剂、硅纳米晶粒

所属期刊栏目：23

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目60776004;浙江省新苗计划项目2008R40G2180006;绍兴市大学生科技创新计划项目

在线出版日期：2010-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：27-30