10.3969/j.issn.1000-0801.2010.04.016
一种用于TDD通信模式的大功率射频开关
采用氧化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的功率开关,在1~3 GHz频带内插入损耗小于0.5 dB,可通过CW功率60W,隔离度大于45 dB,尺寸为8 mm×8 mm,解决了射频大功率开关量产困难的问题,在我国的TD-SCDMA移动通信网中得到了广泛应用.
氧化铝陶瓷基板、MCM、大功率、开关
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TN4;TN3
国家发改委"新一代宽带无线通信射频器件及模块研发和产业化"资助项目
2010-06-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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