半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究

摘要：

在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6 、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等.这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大.传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来,剧毒气体干法解毒技术发展迅猛.本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展需求.

关键词：半导体、剧毒有害气体、SiH4、B2H6、GeH4、PH3、AsH3、干法解毒

所属期刊栏目：27

分类号：TQ117

在线出版日期：2009-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

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