SiC MOSFET与GaN HEMT低温特性测试及对比分析

摘要：

以SiC MOSFET和GaN HEMT为代表的宽禁带电力电子器件代表电力电子期间未来的发展方向,有望在航天和超导储能等低温领域得到应用.为了对两种器件的低温特性有个全面的认识,对SiC MOSFET和GaN HEMT器件的低温特性进行了对比测试和分析.实验结果显示,温度从300 K降至77 K,MOSFET阈值电压增大至2.77倍,而HEMT降低了 42.45％;MOSFET的漏源击穿电压降低了 32.99％,HEMT升高了 20.12％;MOSFET的导通电阻增大至11.42倍,而HEMT降低了 47.34％.基于器件的物理模型,对两种器件低温特性进行分析,分析结果表明,导致两种器件性能不同的原因主要是SiC MOSFET较差的界面品质和HEMT独特的二维电子气结构.

关键词：SiC MOSFET、GaN HEMT、低温特性、对比分析、物理机理

所属期刊栏目：50

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51877206

在线出版日期：2022-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：39-43,76