1200V碳化硅功率MOSFET低温特性的实验表征及分析

摘要：

碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能.基于低温环境下的.应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响.实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24％,漏-源极击穿电压降低32.99％,栅极泄漏电流降低82.51％,导通电阻升高1 142.28％,零栅压漏电流降低89.84％(300 K至125K).双脉冲测试显示,开通时间增大8.59％,关断时间降低16.86％,开关损耗增加48％.分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因.

关键词：碳化硅(SiC)、MOSFET、低温、特性

所属期刊栏目：48

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2020-05-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6-10,58