10.16711/j.1001-7100.2019.07.008
CFETR TF导体的管内压降分析
目前管内电缆导体(CICC)压降的实验结果都是高空隙率(~35%)下测得的,而CFETR纵向场(Toroidal Field,TF)导体的设计偏向于较小的空隙率(~29%),压降实验数据方面的短缺,使得需要重新考虑目前Katheder关系式能否用于CFETR TF的压降估算.在CFETR TF导体的压降分析中,分别采用了修正的Katheder关系式和多孔介质模型对导体的压降进行比较,获得了更为保守的压降预测.
CFETR、管内电缆导体、摩擦系数、多孔介质模型
47
TB126;TM26(工程基础科学)
国家自然科学基金51777207
2019-08-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
39-43