GaN芯片阵列射流冷却技术研究

摘要：

针对高热流密度GaN芯片局部点热流的散热特点,采用射流冷却传热方法,对340 W/cm2的高热流密度进行了冷却,热源以4×4点阵形式存在,实验分析了工质流量、热负荷等因素对系统换热性能的影响.以水为冷却工质,工质流量≤4.47 L/min,试验测得点热源温度低于78.8℃.

关键词：高热流密度、点热流、强化传热、射流冷却

所属期刊栏目：47

分类号：TP69(射流技术（流控技术）)

资助基金：中国电科联合创新基金6141B08030105

在线出版日期：2019-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：55-59