采用快速升温烧结方法生长Tl-2223超导薄膜的研究

摘要：

本文采用磁控溅射和快速升温烧结方法在 (00l) 取向的铝酸镧 (LAO) 基片上制备Tl-2223超导薄膜, 研究了Tl含量不同的陪烧靶对Tl-2223薄膜晶体结构的影响.XRD测试表明, 陪烧靶中Tl含量是制备高质量Tl系薄膜的关键环节, 采用合适配比的陪烧靶可制备出纯c轴取向Tl-2223超导薄膜.SEM测试结果表明, 采用该工艺制备的薄膜为层状生长结构, 其表面形貌平整、致密.经过在氧环境下热处理后的Tl-2223薄膜具有较好的电学性能, 其临界转变温度Tc达到118K, 临界电流密度Jc为1.2MA/cm2 (77K, 0T) .

关键词：Tl-2223超导薄膜、c轴取向生长、快速升温烧结方法

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资助基金：国家自然科学基金项目51561005、51062001;广西自然科学基金项目2015jj DA10001;广西教育厅项目KY2015ZD076;广西高校新型电功能材料重点实验室开放课题DGN201702

在线出版日期：2018-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：32-36