CFETR CS模型线圈NbTi导体的管内压降分析
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.16711/j.1001-7100.2016.06.011

CFETR CS模型线圈NbTi导体的管内压降分析

引用
CICC导体的压降是设计及应用过程中的重要问题.为了研究CFETR CS模型线圈NbTi的管内流体阻力性能,对模型线圈的NbTi导体进行了实验和理论的分析.压降实验采用氮气作为流体工质,测试不同流量下,导体的进出口压降.理论分析采用一种一维模型描述双通道流体,引用电缆区域及中心孔区域的摩擦因数描述流道阻力进行计算,并与测试结果作分析比较,为实际应用中的氦流体在导体中的稳态流动阻力计算提供了一种理论方法.

CFETR、CSMC、压降测试、流动阻力、摩擦因数

44

国际热核聚变实验堆ITER计划专项基金2014GB105004资助.

2016-07-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

54-58

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

低温与超导

1001-7100

34-1059/O4

44

2016,44(6)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn