渗碳陶瓷低温温度传感器磁致电阻效应研究

摘要：

通过对渗碳陶瓷低温温度传感器在0-16T磁场环境、2-320K温区的磁致电阻效应研究,以及与Cernox磁效应的对比分析,得到以下实验结果:在2-10K,渗碳陶瓷磁效应变化比较明显,随温度的降低而升高,随场强近似正系数线性变化,且温度越低,变化率越大;在2-10K,渗碳陶瓷由磁阻引起的误差为负误差,且场强越高,误差越大,误差随温度出现了近似V字形的变化,在7K处误差到达了最高值,16T、7K处的误差为-0.877K;在2-14K,渗碳陶瓷磁效应明显比CX-1050大,在50-300K渗碳陶瓷磁效应比CX-1050小.

关键词：渗碳陶瓷、强磁场、磁致电阻效应

所属期刊栏目：44

资助基金：中国科学院低温工程学重点实验室开放基金CRY0201420.

在线出版日期：2016-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：31-33