磁控溅射法结合异位退火制备MgB2超导薄膜的研究

摘要：

采用磁控溅射法,结合真空异位退火,成功制备MgB2超导薄膜,探索了退火温度、退火时间、磁控溅射功率和溅射气压对MgB2薄膜超导特性的影响.通过XRD、SEM和PPMS测量的结果来分析退火及溅射的工艺参数对MgB2超导薄膜的晶体结构、表面形貌及超导性能的影响.研究表明,退火温度为670℃,退火时间为2h,MgB2靶溅射功率控制在300W,Ar溅射气压保持为2Pa,MgB2薄膜表现出最优的超导特性,其临界电流密度Jc为1.8×105 A/cm2.

关键词：磁控溅射、MgB2、超导薄膜、退火

所属期刊栏目：43

分类号：O4;O51;TB383

资助基金：国家自然科学基金;国家国际科技合作专项基金;贵州大学研究生创新基金

在线出版日期：2016-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：51-58,66