退火工艺对制备二硼化镁超导薄膜的影响

摘要：

采用了化学气相沉积法(CVD),在低真空环境下制备出MgB2超导薄膜,并探索了退火温度、退火时间、降温速率对MgB2薄膜性能的影响.采用X射线衍射仪、扫描电镜和低温电导率测试系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析.研究表明:退火温度在780℃,退火时间为120min,退火后的降温速率控制在16℃/min左右,制备出的MgB2薄膜超导转变温度Tc(onset)为39.5K,超导转变宽度△Tc为2K,表现出最优的超导性能,同时薄膜的成品率显著提高.证明了通过优化后,退火工艺可以显著提高MgB2的超导性能.

关键词：MgB2、化学气相沉积、超导薄膜、退火工艺

所属期刊栏目：43

分类号：TM262;O511;O484.1

资助基金：国家自然科学基金;国家国际科技合作专项基金;贵州大学研究生创新基金

在线出版日期：2015-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：43-48