Al/AlOX/Al超导隧道结的制备工艺研究

摘要：

研究了在高阻硅衬底上Al/ AlO／Al隧道结的制备技术,采用电子束蒸发制备Al/ AlOx/Al三层材料,湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线,PECVD法生长绝缘层(SiO2)保护超导隧道结,RIE刻蚀上电极窗口.在400mK温度下测量了Al/AlOx/Al隧道结样品,得到了较好的隧道结I-V曲线,能隙电压Vg为0.325mV,超导临界电流Ic为55hA,漏电流为5nA.

关键词：Al/AlOx/Al、超导隧道结、铝刻蚀、制备工艺

所属期刊栏目：41

分类号：O48;TN3

资助基金：国家自然科学基金61271081,61027008;国家重点基础研究发展计划项目2011CBA00202

在线出版日期：2013-10-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：47-49,69