强磁场下锗电阻温度传感器的磁致电阻效应研究

摘要：

以锗温度传感器GR-1400-AA为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、2～100K温区内的磁致电阻效应.结果表明:在2～20K温区,GR-1400-AA磁效应随温度的升高急剧降低,且场强越高磁效应的变化率越大；在20～100K温区,磁效应随温度的升高趋于平缓；GR-1400-AA磁效应随场强的升高而升高,且温度越低,磁效应的变化率越高,2.1K、16T处的磁效应为2120.3％；GR-1400-AA由磁阻引起的测量温差随温度的升高而升高,随场强的增大而增大,且全为负温差,在6K、2T处和16T、100K处的测量温差分别为-0.24K、-60.4K.不推荐应用在磁场环境下.

关键词：锗温度传感器、强磁场、变温、磁致电阻效应

所属期刊栏目：41

分类号：O48;O4

资助基金：合肥物质科学研究院知识创新工程领域前沿项目Y06JS11121BQ

在线出版日期：2013-10-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：15-16,21