10.3969/j.issn.1001-7100.2013.03.010
金属基底上氧化物缓冲层的外延生长及表面形貌研究
采用直流反应磁控溅射在具有双轴织构的Ni-5%W基底上快速沉积了Y2 O3种子层,随后外延生长GdxZrl-xOy(x=0.5,0.1)和YSZ三种阻挡层.研究表明,Y2 O3能扩大和稳定后续薄膜的工艺窗口.X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析结果表明,三种薄膜c轴织构良好、表面平整致密,其中GSZ(x=0.5)具有最好的面内织构和表面形貌,面内半高宽(FWHM)5.8°,均方根粗糙度(RMS) 1.6 nm.
直流反应溅射、双轴织构、涂层导体、缓冲层
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O48;O64
国家自然科学基金11174193;上海市科委11dz1100302;国家"973"项目2011CBA00105;国家"863"项目2009AA03Z204
2013-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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