电化学法涂层导体CeO2缓冲层外延生长研究

摘要：

电化学沉积法制备高温超导YBa2 Cu3O7-δ涂层导体缓冲层具有工艺简单、设备要求低、易于连续化批量制备等优点.采用电化学沉积法,在双轴织构的Ni-5at.％W(Ni-5W)金属基带上成功制备出了具有良好c轴取向的CeO2缓冲层薄膜.利用X射线衍射、极图、扫描电子显微镜和原子力显微镜等对上述氧化物薄膜的织构、表面形貌等进行表征.重点研究了薄膜厚度、退火温度、退火时间等工艺对薄膜外延生长及其表面形貌的影响,结果表明:电化学沉积方法制备的CeO2缓冲层具有很好的双轴织构、表面平整、均一,粗糙度低,表现出良好的缓冲层性质.结合金属有机化学溶液超导层的制备技术,本工作展示了一条全化学法制备第二代高温超导带材的技术路线,具有很好的应用前景.

关键词：YBa2Cu3O7-δ、涂层导体、电化学沉积、缓冲层

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分类号：TM2;TN3

资助基金：国家自然科学基金11174193;上海市科委11dz1100302;国家"973"项目2011CBA00105;国家"863"项目2009AA03Z204

在线出版日期：2013-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：38-43