磁控溅射制备的AlN薄膜的结构、组分及性能分析

摘要：

采用DC磁控溅射法,分别在p-Si(111)和玻璃基片上沉积AlN薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、台阶仪\紫外/可见分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)分析了薄膜的结构组分、表面形貌、膜厚、光学性能和红外吸收特性.结果 表明:溅射电流对A1N薄膜的生成有很大的影响,当电流增加到0.40A时,薄膜中出现明显的h-AlN(100)和AlN(110)衍射峰；样品的最大高度都小于30nm；样品在250-1000nm波长范围内具有较高的透射率,当溅射电流为0.4A时,薄膜的禁带宽度约为5.94eV；在677.12cm1处出现强烈的吸收峰.

关键词：AlN薄膜、溅射电流、XRD、透射率、FTIR、EDS

所属期刊栏目：40

分类号：TN3;TB3

资助基金：甘肃民族师范学院院长基金11-15

在线出版日期：2012-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：32-35,39