Nb/A1- AlOx/Nb隧道结的制备研究

摘要：

通过改进RIE的刻蚀工艺和绝缘层的生长工艺,在SiO2/Si衬底上制备出了性能良好的超导Nb/A1 AlOx/Nb隧道结.采用CF4作为刻蚀气体,降低了RIE对结势垒层和衬底SiO2层的刻蚀.使用PECVD生长绝缘层SiO2,改善了绝缘性能,从而降低了隧道结的漏电流.

关键词：Nb/A1-AlOx/Nb、隧道结、制备工艺

所属期刊栏目：40

分类号：R94;TN3

资助基金：国家自然科学基金61027008,11074114项目;国家重点基础研究发展计划项目2011CBA00202

在线出版日期：2012-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

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