10.3969/j.issn.1001-7100.2011.10.018
S波段低温低噪声放大器技术研究
介绍了低温低噪声放大器使用的HEMT(高迁移率晶体管)器件噪声模型的建立,对HEMT用S参数和噪声参数讲行仿直,获取适合的模型.给出了实例,放大器在低温10K工作,增益≥30dB,噪声温度≤4K.
低温、低噪声放大器(LNA)、高迁移率晶体管(HEMT)
39
TN7;TN4
2012-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
78-80
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10.3969/j.issn.1001-7100.2011.10.018
低温、低噪声放大器(LNA)、高迁移率晶体管(HEMT)
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TN7;TN4
2012-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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