Cu位La、 Gd掺杂YBa2Cu3O7-δ结构和磁通钉扎的比较

摘要：

多晶样品YBa2Cu3-xLaxO7-δ(0≤x≤0.15)和YBa2Cu3-xGdxO7-δ(0≤x≤0.15)通过固相反应法制备得来.通过结构参数分析,我们发现La首先替代Cu(1)位,然后开始部分替代Ba,而Gd开始替代Cu(2)位然后替代Cu(1)位.YBa2Cu3-xLaxO7-δ和YBa2Cu3-xGdxO7-ε的Tc都随掺杂x曲折变化并呈逐渐减小趋势.微量的La或Gd的Cu位掺杂使得YBa2Cu3O7-δ的Jc有明显的提高.YBa2Cu3-xLaxO7 -δ的最佳掺杂组份(0.04)小于YBa2Cu3-xGdx07-δ的最佳掺杂组份(0.07)的主要原因是磁性Gd3+离子能产生磁导性钉扎中心,而非磁性La3+离子则不能.

关键词：YBa2Cu3O7-δ、稀土替代、Cu位、结构、临界电流密度

所属期刊栏目：39

分类号：TM2;O51

资助基金：江苏科技大学博士科研启动基金35270802;江苏科技大学基金37270901、33271001

在线出版日期：2012-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：32-35