具有陷波电路结构的P波段低温低噪声放大器

摘要：

该文的工作是设计和制作了一种具有陷波电路结构的P波段低温低噪声放大器.在低温75K环境下,工作频段为250-350MHz的范围内,该低温低噪声放大器具有优异的性能,噪声系数小于0.4dB, 增益为 14.4dB,增益平坦度小于0.05dB,输入反射损耗S11＜-20dB, 输出反射损耗S22＜-20dB.同时在工作频段外的高温超导滤波器寄生通带内,该低温低噪声放大器成功实现了传输陷波响应,加强了系统对前端高温超导滤波器产生的寄生通带的衰减和抑制.

关键词：低噪声放大器、低温、陷波电路、高温超导滤波器

所属期刊栏目：38

分类号：TN7;TN9

在线出版日期：2010-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4