10.3969/j.issn.1001-7100.2008.11.006
超导HEB器件制备中的图形转移技术研究
超导HEB热电子混频技术是目前1THZ以上频段的最佳候选技术.在HEB器件的制备中,成功刻蚀微桥是关键.文章利用EBL、光刻技术、RIE技术相结合的方式,对如何成功刻蚀微桥进行了深入研究.并通过对EBL、光刻技术和RIE条件的研究分析,确定了最佳实验条件,成功实现了HEB器件的图形转移.
HEB、EBL、光刻、RIE
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TN3;TN1
2009-02-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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