热处理对MgO基片的表面形貌以及对CeO2和Tl-2212薄膜生长的影响

摘要：

研究了MgO基片在高温退火时表面形貌和表面结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1100℃温度下退火,MgO的表面首先由未退火时的皱褶形貌,演化为光滑表面,随着退火时间的延长,表面形貌最终演化为具有光滑基底的独立生长峰结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高MgO基片表面结晶的完整性.在1100℃温度下热处理8小时的MgO基片上可以生长出具有高度c轴取向的CeO2(001)缓冲层.然后在此缓冲层上制备了厚度为500nm的外延Tl-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)达到108.6K,液氮温度下临界电流密度(Jc)为2.8mA/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约为360.9μΩ.

关键词：Tl-2212超导薄膜、MgO、缓冲层

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分类号：TB6(制冷工程)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB601006;国家高技术研究发展计划863计划2006AA03Z213;教育部高等学校博士学科点专项科研基金20050055028

在线出版日期：2008-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-4,7